W. Zhu et al. wedi ffugio powdrau purdeb uchel iawn ar 1200 ~ 1400 gradd trwy ddyddodiad anwedd cemegol gan ddefnyddio silane ac asetylen fel nwyon adwaith a hydrogen fel nwy cludo. Gan ddefnyddio hexamethylsilane fel ffynhonnell yr adwaith a hydrogen ac argon fel nwyon cludo, mae Anaguta et al. hefyd yn ffugio ultrafine powdrau silicon purdeb purdeb uchel trwy ddyddodiad anwedd cemegol ar 1050 ~ 1250 gradd.
Defnyddiodd aelodau'r ddau grŵp ymchwil hyn ddyddodiad anwedd cemegol i wneud powdrau silicon purdeb uchel gan ddefnyddio ffynonellau nwy organig. Fodd bynnag, roedd y powdrau ultrafine ffug yn nanoscale. Er bod y purdeb yn uchel, nid yw'n hawdd ei gasglu ac nid yw'n addas ar gyfer gweithgynhyrchu powdr silicon purdeb uchel-purdeb uchel mewn symiau mawr, nad yw'n ffafriol i ddatblygiad diwydiannu yn ddiweddarach.
Dull gweithgynhyrchu gyda chludiant awtomatig
Mae'r dull hwn yn cymryd powdr silicon a charbon du fel deunyddiau crai, yn ychwanegu actifyddion eraill, ac yn adweithio'n uniongyrchol ar 1000 ~ 1150 gradd i gynhyrchu powdr. Mae'n anochel y bydd cyflwyno catalydd yn effeithio ar burdeb ac ansawdd y powdr silicon purdeb uchel a weithgynhyrchir.
Felly, mae llawer o ymchwilwyr wedi cynnig gwell dull synthesis hunan-luosogi ar y sail hon. Y prif welliant yw osgoi cyflwyno ysgogydd a sicrhau adwaith saernïo parhaus ac effeithiol trwy gynyddu'r tymheredd saernïo a'r cyflenwad gwres parhaus. Cyn gynted â 1999, yn Japan, cynhyrchwyd powdrau â meintiau gronynnau o 10 ~ 500 μm trwy ddull hylosgi yn yr ystod o 1700 ~ 2000 gradd gan ddefnyddio orthosilicate ethyl fel ffynhonnell silicon a resin ffenolig fel y ffynhonnell garbon, ac roedd ffracsiwn màs y cynnwys amhuredd yn llai na 0.5 × 10-6.
Fodd bynnag, mae adweithyddion y dull hwn yn defnyddio deunyddiau organig, felly mae'r gost deunydd crai yn uchel, nad yw'n ffafriol i gynhyrchu powdr silicon purdeb uchel ar raddfa fawr. Cynhyrchodd ymchwilwyr yn Sefydliad Ymchwil Silicon Shanghai yr Academi Gwyddorau Tsieineaidd ar dymheredd uchel mewn awyrgylch argon gyda ffracsiynau màs o 99.9% a 99.999%, yn y drefn honno.
Defnyddiodd yr ymchwilwyr garbon wedi'i actifadu (maint gronynnau 20 ~ 100 μm) a graffit naddion (maint gronynnau 5 ~ 25 μm) fel ffynhonnell carbon (ffracsiwn màs 99.9%) a silicon purdeb uchel fel y ffynhonnell silicon (maint gronynnau 10 ~ 270 μm , ffracsiwn màs 99.999%), yn y drefn honno.
Paratowyd y powdr silicon purdeb uchel mewn ffwrnais sintro tymheredd uchel gwactod ar 1900 gradd o dan awyrgylch argon. Dangosodd yr arbrofion fod purdeb y ffabrig gwactod uchel yn well na'r powdr silicon purdeb uchel a wnaed o dan nwy cludo. Yn ogystal, tyfwyd monocrystals gan ddefnyddio powdr silicon purdeb uchel a weithgynhyrchwyd o dan wactod uchel. Mae'r canlyniadau'n dangos bod y monocristalau a dyfir o burdeb uchel a bod ganddynt briodweddau lled-inswleiddio rhagorol, sy'n bodloni gofynion dyfeisiau cysylltiedig ar gyfer priodweddau trydanol swbstradau lled-inswleiddio. Rhagolygon ar gyfer Technoleg Gweithgynhyrchu Powdwr Purdeb Uchel
Mae gwneuthuriad hunan-lluosogi gwell yn ddull cyffredin ar gyfer tyfu crisialau sengl yn y labordy oherwydd ei gost deunydd crai isel a'i symlrwydd. Canfuwyd bod paramedrau prosesau gweithgynhyrchu gwahanol yn cael effaith ar y cynhyrchion gweithgynhyrchu.
