Carbid Silicon Bras
Silicon Carbide 100 Grit Disgrifiad
Mae'r dyfeisiau electronig lled-ddargludyddion pŵer uchel o'r drydedd genhedlaeth a gynrychiolir gan SiC yn un o'r dyfeisiau lled-ddargludyddion pŵer sy'n tyfu gyflymaf ym maes electroneg pŵer.
Mae silicon carbid fel cynrychiolydd nodweddiadol y drydedd genhedlaeth o ddeunyddiau lled-ddargludyddion, ond hefyd y dechnoleg cynhyrchu grisial mwyaf aeddfed a lefel gweithgynhyrchu dyfeisiau, un o'r deunyddiau lled-ddargludyddion lled band eang a ddefnyddir fwyaf eang, wedi ffurfio cadwyn diwydiant deunyddiau, dyfeisiau a chymwysiadau byd-eang. Mae'n ddeunydd lled-ddargludyddion delfrydol ar gyfer cymwysiadau pŵer uchel-tymheredd uchel, -amledd uchel, ymbelydredd -gwrthsefyll a -pŵer uchel.
Manyleb Cynhyrchion Carbid Silicon
Cyflenwyr Cynhyrchion Silicon Carbide-ZhenAn International
| DADANSODDIAD CEMEGOL NODWEDDOL | |
| SiC | 99.05% |
| SiO2 | 0.20% |
| F,Si | 0.03% |
| Fe2O3 | 0.10% |
| F.C | 0.04% |
| EIDDO FFISEGOL NODWEDDOL | |
| Caledwch: | Mohs: 9.5 |
| Pwynt toddi: | Aruchel ar 2600 gradd |
| Tymheredd gwasanaeth uchaf: | 1900 gradd |
| Disgyrchiant Penodol: | 3.2g/cm³ |
| Dwysedd swmp (LPD): | 1.2-1.6 g/cm3 |
| Lliw: | Gwyrdd |
| Siâp gronynnau: | Hecsagonol |
Gwneuthurwr Grit Silicon Carbide 100-ZhenAn International
Cyflenwr SiC Powder-ZhenAn
Priodweddau mecanyddol:gall caledwch uchel (caledwch Kjeldahl o 3000kg / mm²), dorri rhuddem; ymwrthedd gwisgo uchel, yn ail yn unig i diemwnt.
Priodweddau thermol:mae dargludedd thermol yn fwy na chopr metelaidd, 3 gwaith yn fwy na Si ac 8 i 10 gwaith yn fwy na GaAs, afradu gwres da, yn bwysig iawn ar gyfer dyfeisiau pŵer uchel.
Priodweddau cemegol:ymwrthedd cyrydiad yn gryf iawn, ar dymheredd ystafell gall wrthsefyll bron unrhyw gyfryngau cyrydol hysbys. Gall ocsidiad wyneb SiC hawdd i gynhyrchu haen denau o SiO2, atal ei ocsidiad pellach, yn uwch na 1700 gradd, yr haen hon o doddi ffilm ocsid ac adwaith ocsideiddio cyflym. Gellir hydoddi SiC mewn deunydd asiant ocsideiddio tawdd.
Priodweddau trydanol:4H-SiC a 6H-Mae bwlch bandiau SiC tua 3 gwaith yn fwy na Si, 2 gwaith yn fwy na GaAs; mae cryfder ei faes trydan dadelfennu un radd o faint yn uwch na Si, ac mae cyfradd drifft yr electronau dirlawnder 2.5 gwaith yn fwy na Si. 4H-Mae gan SiC fwlch band ehangach na 6H-SiC.
36 o luniau ymweliad cwsmer Grit Silicon Carbide
FAQ
C: A yw'r pris yn agored i drafodaeth?
A: Ydw, mae croeso i chi gysylltu â ni unrhyw bryd os oes gennych unrhyw gwestiynau. Ac ar gyfer cleientiaid sydd am ehangu'r farchnad, byddwn yn gwneud ein gorau i'w cefnogi.
C: Allwch chi gyflenwi samplau am ddim?
A: Ydym, gallwn ddarparu samplau am ddim i gwsmeriaid iddynt wirio ansawdd neu wneud y dadansoddiadau cemegol, ond dywedwch wrthym y gofynion manwl i ni baratoi'r samplau cywir.
C: Pryd allwch chi gyflwyno'r nwyddau?
A: Fel arfer, gallwn ddosbarthu'r nwyddau o fewn 15-20 diwrnod ar ôl i ni dderbyn y taliad ymlaen llaw neu'r L / C gwreiddiol.
C: A allwch chi ddarparu adroddiad prawf a gyhoeddwyd gan SGS neu arolygiad arall gan drydydd parti?
A: Gallwn, gallwn, os yw cwsmeriaid yn gofyn am adroddiadau prawf trydydd parti.
Rydym yn mawr obeithio bod yn bartner i chi, rydym yn croesawu cwsmeriaid hen a newydd i ymweld â'r canllaw yn ogystal â gwahanol fathau o sgyrsiau cydweithredu masnach!
Tagiau poblogaidd: carbid silicon bras, gweithgynhyrchwyr carbid silicon bras Tsieina, cyflenwyr, ffatri
Fe allech Chi Hoffi Hefyd
Anfon ymchwiliad