Carbid silicon deunydd lefel uchel

Gall defnyddio swm priodol o'r gwasgarydd tetramethylammonium hydrocsid gynyddu gwerth absoliwt potensial zetacarbid siliconGronynnau bron i 20 mV. Gall addasu'r pH slyri i oddeutu 11.9 baratoi ffracsiwn cyfaint cyfnod solet o hyd at 70% ar gyfer yr ataliad crynodedig SIC. Yn yr ataliad dwys hwn, gellir cyflawni gwasgariad unffurf a sefydlog rhwng gronynnau SiC bras a mân, ac nid yw'r gronynnau crog yn arddangos gwaddodiad amlwg. Mae ei ymddygiad rheolegol yn cydymffurfio â model Quemada.

1.Llunio deunydd anhydrin, yn enwedig yn ymwneud â deunydd anhydrin sy'n cynnwyscarbid silicon. Mae deunydd anhydrin sy'n cynnwys carbid silicon, lle mae'r gymhareb llunio yn ôl pwysau yn cynnwys y cydrannau canlynol: magnesiwm ocsid, calsiwm ocsid deunyddiau crai {{{{0}} rhannau, ffibr alwminosilicate gyda diamedr o {2-4} μ neu}, hyd at 1 neu 8-15 Rhannau, tywod cwarts 12-14 rhannau, aloi Magnesium zirconium 0. 2-6 Rhannau, rhannau silicad alwminiwm magnesiwm 3-8, a rhwymwr ar gyfer deunyddiau anhydrin sy'n cynnwys carbon 2-5}} rhannau. Mae'r deunydd anhydrin sy'n cynnwys carbid silicon wedi'i baratoi yn cydbwyso ymwrthedd ocsidiad, ymwrthedd tymheredd uchel, ymwrthedd treiddiad slag, ymwrthedd sioc thermol, a rhwyddineb cynhyrchu.

Tagiau poblogaidd: Deunydd Lefel Uchel Carbid Silicon, Tsieina Deunydd Lefel Uchel Gwneuthurwyr carbid silicon, cyflenwyr, ffatri